본문바로가기

2021 참가사 디렉토리

원익IPS

WONIKIPS Co., Ltd.

Booth No.
  • CEO이현덕 / Hyeon Deok Lee
  • ADDRESS경기도 평택시 진위면 진위산단로 75 / 75, Jinwisandan-ro, Jinwi-myeon, Pyeongtaek-si, Gyeonggi-do, Korea
  • CONTACTTel. +82-31-8047-7276 / Fax. +82-31-8047-7083 / URL. www.ips.co.kr
  • 제조품목

    -GEMINI CVD SYSTEM

    - Technology : PECVD(Plasma-Enhanced Chemical  Vapor Deposition)


    장치가 소형화되는 추세에 따라 Wafer CD 다양성에 영향을 줄 수 있는 균일성이 중요하기 때문에 소자 제조에 나쁜 영향을 주게 됩니다. 유전체 막은 반도체 소자에서 절연물질을 형성하기 위해 사용되기 때문에 후속층에 영향을 미치기에 매우 부드러운 막이 필요로 됩니다. GEMINI PECVD 의 유전체 막은 매우 뛰어난 균일성으로 잘 알려져 있습니다. 더불어, 생산성이 뛰어날 뿐만 아니라 처리량이 매우 높아 관리 비용을 크게 절감합니다.


    -GEMINI ALD SYSTEM-


    Technology : PEALD(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition )


    디바이스 노드가 점점 더 복잡 해짐에 따라 리소그래피는 더 많은 단계가 추가되는 것을 요구받아, 일부 한계가 발생합니다. GEMINI ALD-Oxide DRAM 및 로직 디바이스 용 패터닝 스페이서와 함께 이러한 제한 사항에 대한 솔루션을 제공합니다 .GEMINI ALD 시스템은 Self-aligned Double Patterning (SADP) Self-aligned Quadruple Pattern (SAQP)과 같은 어플리케이션에 사용되어 고급 리소그래피 패터닝 단계에 대한 솔루션을 드립니다.


    -QUANTA (3D ON Stack System)-


    Technology : PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)


    3D NAND 제조 공정은 Oxide Nitride 층 같은 여러 개의 교차 층을 증착하는 것으로 시작합니다. 각각의 얇은 층은 매우 균일해야 하며, 극도로 부드럽고 3D NAND 소자 밀도를 높이는 데 도움이 되는 후속층에 우수한 접착력을 가져야 합니다. QUANTA SYSTEM은 막 균일 성, 응력, 조도 및 제어 가능한 WER의 관리와 함께 Oxide, Nitride (ON) 스택을 위한 공정 솔루션을 제공합니다. 당사의 QUANTA 시스템은 고용량 및 성능 향상을 위한 3D NAND 장치 제조 솔루션을 드릴 수 있습니다.

    -NOA (Metal CVD & ALD System)

    -Technology : ALD/CVD


    WONIK IPS NOA SYSTEMCONTACTS, VIAS CHIP 위의 PLUG 와 같은 전도성 물질에 사용되는 텅스텐 막을 칩에 증착하고, TiN (Capacitor Electrode for DRAM) Ti / TiN (DRAM / Logic / 3D NAND). 장치 노드가 축소됨에 따라, 종래의 CVD 텅스텐 증착은 제한적이다. NOA 시스템은 통합 된 금속 공정을 가능하게합니다.

     

    -DB (High-k ALD System)-

    Technology : Thermal ALD for High-K

    미래의 기술 교점을 위한 계속된 디바이스 스케일링은 게이트 유전체의 EOT (equivalent-oxide-thickness)를 줄여야 하는 것을 요구한다. EOT를 충족시키기 위해, HfO2 또는 ZrO2 게이트 유전체와 같은 high-k 물질이 소자에 사용되었다. WONIK IPS DB 시스템은 열적 원자층 증착 기술로 초박형 high-k 막의 솔루션을 제공합니다.

     



    -GEMINI CVD SYSTEM-

    Technology : PECVD(Plasma-Enhanced Chemical  Vapor Deposition)
    As device scales down, uniformity is important as it can affect wafer CD variation which leads to poor device fabrication.   Since dielectric films are used to form insulating features in a semiconductor device, it requires films that are exceptionally smooth as it will affect subsequent layers.

    GEMINI PECVD dielectric films are well-known for its extremely outstanding uniformity. Not only it has a superior productivity, but also it significantly reduces cost of ownership with very high- throughput.

     

     

    -GEMINI ALD SYSTEM-

    Technology : PEALD(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition )
    As device nodes becomes more complex, lithography challenges arise as more steps adds up that brings up some limitations. GEMINI ALD-Oxide provides solution for these limitations with patterning spacers for DRAM and Logic devices.

    The GEMINI ALD system is used for applications like Self-aligned Double Patterning (SADP) and Self-aligned Quadruple Pattern (SAQP), to provide solution for advanced lithography patterning steps.

     


    -QUANTA (3D ON Stack System)-

    Technology : PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)
    3D NAND manufacturing process starts with depositing multiple alternating layers of materials such as Oxide and Nitride films. Each thin layer must be highly uniform, extremely smooth and with good adhesion to subsequent layers which can help increase the 3D NAND device density.

    QUANTA SYSTEM provides process solution for Oxide, Nitride (ON) stack with management of film uniformity, stress, roughness and controllable WER. Our QUANTA system can provide solution for 3D NAND device fabrication for higher capacity and advanced performance.

     

     

    -NOA (Metal CVD & ALD System)-

    Technology : ALD/CVD
    WONIK IPS NOA SYSTEM deposits Tungsten film which is used for conductive features like contacts, vias, and plugs on a chip and it is also possible to form TiN(Capacitor Electrode for DRAM) and Ti/TiN(Contact barrier metal for DRAM/Logic/3D NAND). As device nodes scale down, conventional CVD Tungsten deposition is limited. NOA system enables integrated metal processes.


    -DB (High-k ALD System)-

    Technology : Thermal ALD for High-K
    Continued device scaling for future technology nodes require reduction in EOT (equivalent-oxide-thickness) of gate dielectrics. To satisfy the EOT, high-k materials such as HfO2 or ZrO2 gate dielectrics have been utilized in devices. WONIK IPS DB system provides solution for ultra-thin high-k film with thermal atomic layer deposition technology.
     

  • 회사소개

    원익아이피에스는 1991년 설립된 장비전문 기업으로, 반도체 전(前)공정 핵심장비와 DISPLAY 장비,  AMOLED 장비, SOLAR CELL장비 등을 제조, 판매하는 국내 최대의 종합장비회사이다.


    WONIK IPS was founded in 1991 specialized equipment company. It is the largest comprehensive equipment company in Korea that manufacture and sell semiconductor process core equipment and DISPLAY equipment, SOLAR CELL equipment, AMOLED equipment. 

참가사에 부여된 아이디 비밀번호 확인
확인